Əməli yaddaş qurğusu

ram

Əməli yaddaş qurğusu

Əməli yaddaş qurğusu(ing Random Acsess Memory)- kompüter yaddaşının elə bir növüdür ki,o eyni zamanda istənilən xanaya (yerləşdiyi yerdən asılı olmayaraq) onun ünvanı üzrə oxuma və yazma proseslərini həyata keçirməyə imkan verir.

Bu yaddaş qurğularının 1940-1950-ci illərdə istifadə olunan(EDSAC,EDVAC,UNİVAC) ilk kompüterlərdən fərqi ondadır ki,onlar proqramların saxlanılması üçün dərəcəli civə xətlərində dərəcəli-ardıcıl yaddaşdan istifadə edirdilər.

Böyük şəbəkələrdə MAC-ünvan şəbəkənin hər düyününü müəyyən etməyə və yalnız məlumatları bu düyünə çatdırmağa icazə verir. Beləliklə, MAC-ünvanlar OSI modelinin kanal səviyyəsində şəbəkələrin əsasını formalaşdırır. MAC ünvanların şəbəkə səviyyəsinin ünvanlarına və geriyə çevirmək üçün xüsusi ARP və RARP protokollarından İPv4,NDP və İPv6 şəbəkələrində istifadə olunur.

Tarixi

Kompüterlərin erkən modelləri,yüz və ya minlərlə bit həcmli əsas yaddaşın funksiyalarını həyata keçirmək üçün reledən , ləngimdən və ya vakuum borularının müxtəlif növlərdən istifadə edirdilər. İlk öncə vakuum triodlarında,bir qədər sonra isə diskret tranzistorlarda yaradılmış triqqerlər ,ölçücə kiçik və daha sürətli yaddaş blokları(registerlər) üçün istifadə olunurdular. İnteqral mikrosxemlərin hazırlamasına qədər birbaşa giriş yaddaşı ( və ya yalnız oxuma üçün) daima yarımkeçirici diodların matrislərindən idarə olunan ünvanın dekoderləri ilə yaradılırdı. Yaddaşın yeni formasından istifadə edən birinci kommersiya EHM-i 1953-cü ildə yaradılmış IBM 701 oldu, və ilk kütləvi satılan EHM isə 1955-ci ildə buraxılmış təkmilləşmiş IBM 704(150 nüsxə) oldu.

Ramların növləri:

  1. Yarımkeçirici statik (ing. Static Random Access Memory, SRAM) — xanalar yarımkeçirici triqqerı təşkil edir. Üstünlüyü az enerji istehlakı, yüksək sürət,bərpaya ehtiyacın olmaması.Çatışmazlığı kiçik həcm və yüksək qiymətdir. Prinsipial üstünlükləri sayəsində kompüterlərdə prosessorların keş-yaddaşı kimi geniş istifadə olunur.
  2. Yarımkeçirici dinamik (ing. Dynamic Random Access Memory, DRAM) — hər xana CMOS tranzistorun əsasında kondensatoru təşkil edir. Üstünlüyü aşağı dəyər, böyük həcmdir. Çatışmazlığı dövri sayım və hər xananın yenidən yazılması ehtiyacıdır.Çünki nəticədə sürət enir,enerji istifadəsi artır. Bərpa prosesi ana platada və ya mərkəzi prosessorda təyin edilmiş xüsusi kontroller ilə reallaşır. DRAM adətən kompüterlərin əməli yaddaş qurğusu kimi istifadə olunur.
  3. Ferromaqnit — keçiricilərdən ibarət matrisi təşkil edir, hansıların ki, kəsişməsində ferromaqnit materiallardan istehsal edilmiş üzüklər və ya biakslar olur. Üstünlüyü radiasiyaya qarşı sabit,qidalanmanın söndürülməsi vaxtı informasiyanın saxlanılmasıdır.Çatışmazlığı kiçik həcm, böyük çəki, hər oxuma vaxtı informasiyanın silməsi. Hal-hazırda belədə, diskret komponentlərdən yığılmış növ tətbiq olunmur. Ancaq 2003-cü ilə inteqral icrada maqnit yaddaşı MRAM istehsal olundu. SRAM sürətini və kəsilmiş qidalanma vaxtı informasiyanın saxlanılmasının imkanını uyğunlaşdırılmasını götürsək, MRAM hal-hazırda istifadə edilən ROM və RAM -ı perspektivli əvəz edə biləcək nominatdır.. Ancaq o 2006-cı ildə təxminən SRAM mikrosxemlərindən(eyni ölçü və qabaritlərdə iki dəfə daha bahalı idi.
Sosial şəbəkələrdə paylaşın

Comments are closed.